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2026 年 9 月 9 日，英特尔宣布其采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计量已突破 100 万片。该数据涵盖设备认证、测试研发及部分产品量产环节，标志着该技术正式从实验室验证迈向实际生产线。目前，英特尔在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径 EUV 光刻机用于部分 Intel 18A 制程生产，其 Panther Lake 处理器的关键层在套刻精度、生产吞吐量和设备可用率等指标上达到预期，且采用该技术生产的 18A 层性能已持平甚至优于传统 0.33 数值孔径 EUV 平台。英特尔表示，客户目前仍可通过现有 6 英寸光掩模结合拼接技术及工艺设计套件（PDK）满足更大面积制造需求，旨在为 AI 产品提供更成熟、可靠的先进制程选项。
英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计量已突破 100 万片。该数据涵盖设备认证、测试研发及部分产品量产环节，标志着该项技术正从实验室验证迈向实际生产线。目前，英特尔在俄勒冈州部署至少…
2 条报道英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计量已突破 100 万片。该数据涵盖设备认证、测试研发及部分产品量产环节，标志着该项技术正从实验室验证迈向实际生产线。目前，英特尔在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径EUV光刻机并用于部分 Intel 18A 制程生产，其 Panther Lake 处理器关键层在套刻精度、生产吞吐量和设备可用率等指标上达到预期。结果显示，采用该技术生产的 18A 层性能已持平甚至优于传统 0.33 数值孔径EUV平台对应层级。英特尔表示，客户目前仍可通过现有 6 英寸光掩模使用高数值孔径EUV，既可在掩模限定范围内设计芯片，也可借助拼接技术和工艺设计套件（PDK）满足更大面积制造需求。
英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术处理的晶圆累计量已突破 100 万片。该数据涵盖设备认证、测试研发及部分产品量产环节，标志着该技术正从实验室验证迈向实际生产线。目前，英特尔在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径EUV光刻机并用于部分 Intel 18A 制程生产，其 Panther Lake 处理器关键层指标均达预期。结果显示，采用新设备生产的 18A 层性能已持平甚至优于传统平台。英特尔表示，客户目前仍可通过现有 6 英寸光掩模结合拼接技术满足制造需求，旨在为 AI 产品提供更成熟、可靠的先进制程选项。