ASML和TSMC希望使用更大的掩模来制造更小的芯片。

ASML and TSMC want bigger masks for smaller chips

ASML 与 TSMC 发起行业倡议，推动采用 12 英寸光掩模以降低成本并克服高数值孔径 EUV 光刻技术局限。该合作计划于 2031 年前建立 12 英寸光掩模试点产线，并于 2033 年前准备好配套光刻系统投入先进制程生产。英特尔和三星已表态支持此转型，旨在解决因 ASML 第一代高数值孔径 EUV 机采用各向异性光学设计而导致的掩膜图案缩小及拼接问题。目前高数值孔径 EUV 初期将沿用 6 英寸掩模，但转向 12 英寸掩模可恢复完整曝光场，提升晶圆厂生产力并满足 AI 驱动下更小制程节点对芯片的需求。