瑶芯微发布碳化硅超级结MOSFET
发生了什么
9月7日，瑶芯微电子宣布发布全球首款碳化硅超级结MOSFET，与郝跃团队合作并协同芯联集成开发工艺平台。该1200V器件实现1635V耐压，室温和175°C下比导通电阻分别低至1.27和1.5毫欧·平方厘米，BFOM达2.1吉瓦每平方厘米，功率密度提升81%。产品已通过车规级AEC-Q101认证，首批客户将面向数据中心高压直流供电系统及AI服务器电源等领域。
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- 科创板日报来源报道
瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结 MOSFET 性能突破
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