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国务院令第 842 号修订后的《集成电路布图设计保护条例》定于 2026 年 10 月 15 日起施行。新版条例将保护范围扩展至集成光子、量子等功能领域，并引入惩罚性赔偿机制，对故意侵权情节严重者可在原基础上按 1 倍至 5 倍确定赔偿数额。同时，条例明确诚实信用原则及滥用专有权的垄断处理规则，增设对等报复条款。修订重点在于强化中间层“布图设计”的保护，针对行业普遍的“软抄袭”行为（即通过 EDA 工具微调几何结构但保持电路行为等价），将独创性界定从业内常规设计中剔除，并大幅降低相似度容忍阈值。
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QorvoSkyworks《集成电路布图设计保护条例》中国半导体行业协会北京知识产权法院国务院令第842号紫光展锐
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国务院令第 842 号修订后的《集成电路布图设计保护条例》于 10 月 15 日起施行，距 2001 年首次公布已过去 25 年。新版条例将保护边界扩展至集成光子、量子等功能，并引入惩罚性赔偿机制，故意侵权情节严重者可在原基础上按 1 倍至 5 倍确定赔偿数额；同时明确诚实信用原则及滥用专有权的垄断处理，增设对等报复条款。修订重点在于强化中间层“布图设计”的保护，针对行业普遍的“软抄袭”行为（即通过 EDA 工具微调几何结构但保持电路行为等价），将独创性界定从业内常规设计中剔除，并大幅降低相似度容忍阈值。面对射频前端等赛道因 Pin-to-Pin 兼容导致的内卷与毛利率承压问题，该条例虽无法改变接口标准由主芯片平台方主导的结构性现状，但通过提高侵权成本与举证难度，旨在为中小设计公司提供谈判筹码，推动布图登记从…