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截至 2026 年 9 月三星 4nm 产能过半转产 HBM4，Q2 内存份额跃升至 38%。
截至 2026 年 9 月，三星电子 4nm 制程产能已超负荷运转，其中 50% 至 60% 的产量被分配用于生产 HBM4 内存芯片基础裸片，对应月产能约 1.5 万片。三星在平泽园区 2 号和 3 号工厂利用 S5、S6 产线进行 SF4 芯片制造，以满足 HBM4 标准对基础裸片集成内存控制器及 PHY 等定制逻辑电路的需求。受人工智能高需求驱动，三星、SK 海力士和美光加速扩产，挤压传统 DRAM 产能。在市场份额方面，三星 2026 年第二季度按营收计算的 HBM 份额从一年前的 15% 大幅提升至 38%，而 SK 海力士同期份额则从 64% 降至 50%。业内估计，三星与 SK 海力士当前 HBM 月产能均在 15 万至 20 万片之间，美光目标是在今年底达到 10 万片。随着客户推行供应商多元…
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截至 2026 年 9 月三星 4nm 产能过半转产 HBM4，Q2 内存份额跃升至 38%。
三星将约半数 SF4 产线产能用于 HBM4 基础裸片，该标准需在芯片中集成内存控制器及 PHY 等定制逻辑电路。
3 条报道三星 4nm 产能已满负荷，50%-60% 产量分配给 HBM4 基础裸片，对应月产能约 1.5 万片；受 AI 需求驱动，三星、SK 海力士和美光加速扩产。
三星内存及代工业务因 HBM4 订单激增实现翻身，其 4nm 工艺产能中 50%-60% 已分配给 HBM4 Basedie 基础芯片。此前三星曾面临代工产能利用率不足、AI 订单被台积电夺走等困境，而凭借自产内存芯片与基础芯片的协同优势，三星在 HBM 供应上实现逆袭。Q2 季度 SK 海力士 HBM 全球份额从 58% 下滑至 50%，三星则从 21% 暴涨至 33%，美光份额降至 18%。按此趋势，三星有望在今年 Q3、Q4 季度超越 SK 海力士成为内存一哥。
三星电子晶圆代工部门正将约半数 4nm（SF4）工艺产能投入 HBM4 基础裸片生产。在 HBM4 及 HBM4E 标准中，客户要求在基础裸片集成内存控制器和 PHY 等定制逻辑电路以减少 Chiplet 占用面积。目前三星在平泽园区 P2、P3 厂的 S5、S6 产线制造 SF4 芯片，随着 ASIC 设计需求增长，HBM4 产能需求持续增加。凭借 HBM 业务，三星 2026 年第二季度按营收计算的 HBM 市场份额达 38%，较一年前的 15% 大幅提升；SK 海力士同期份额则从 64% 降至 50%，主要因客户推行供应商多元化。若三星持续扩大产能并推出定制基础裸片，未来几个季度其 HBM 营收份额有望进一步提升。
消息称三星将半数 4 纳米产能投入 HBM4 基础裸片生产。三星电子旗下晶圆代工部门（Samsung Foundry）正为 HBM4 基础裸片预留大量产能，其中约一半的 SF4 产线整体产能用于此用途。HBM4 及 HBM4E 标准客户要求在基础裸片中集成内存控制器和 PHY 等定制逻辑电路，以减少主计算 Chiplet 上的占用面积。三星目前在平泽园区 2 号厂（P2）和 3 号厂（P3）的 S5、S6 产线上生产 SF4 芯片。凭借 HBM 业务，三星 2026 年第二季度按营收计算的 HBM 市场份额达 38%，较一年前的 15% 大幅提升；SK 海力士同期份额则从 64% 降至 50%。随着市场需求增长及客户多元化采购，若三星继续扩大产能并推出定制基础裸片，其未来几个季度的 HBM 营收份额有望进一步…
三星电子 4nm 制程已满负荷运转，其中 50%-60% 产量用于生产 HBM4 内存芯片基础裸片，对应月产能 1.5 万片。人工智能高需求推动三星、SK 海力士和美光加速扩产 HBM，挤压传统 DRAM 产能。截至上月，三星 4nm 产能的 50% 已分配给 HBM4；其韩国平泽工厂 2 号和 3 号园区利用 S5、S6 两条生产线生产 4nm 至 7nm 芯片。业内估计，三星和 SK 海力士当前 HBM 月产能均在 15 万至 20 万片之间，而美光目标是在今年底达到 10 万片。三家公司技术路线不同：SK 海力士将基础裸片外包给台积电，初代 HBM4 使用 1b 工艺；美光主要进行产能爬坡；三星则自研 4nm 基础裸片并采用 1c 工艺，旨在下半年抢占更多市场份额。