SK 海力士 1c nm DRAM 制程预计 2027 年初超越 1b nm 成主力，支撑 HBM4E 升级

摘要由 AI 生成

SK 海力士第六代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 预计于 2027 年初超越 1b nm，成为该企业第一大内存制程。从 2026 年第一季度至 2027 年第一季度，1c nm 在其总 DRAM 产能中的占比逐季度由 10% 上升至 35%，而同期 1b nm 产能占比降至 33%，两者在 2027 年初形成交叉。该工艺将用于新一代 HBM4E 内存，旨在保障 HBM4 向 HBM4E 升级时的产能平滑过渡。业内预计，三星电子与美光在第 6 代 10nm 级 DRAM 产能占比方面，于 2026 年第二季度末分别为 16% 和 19%。

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2026-09-07
备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第…

SK 海力士第 6 代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 有望于 2027 年初超越 1b nm 成为该企业第一大内存制程。从 2026Q1 到 2027Q1，1c nm 在其总 DRAM 产能中的占比逐季度分别为 10%、13%…
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D DoNews·快讯 zh 2026-09-07 08:00

SK海力士1c nm DRAM制程将于2027年初成主力

SK 海力士第六代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 预计于 2027 年初超越 1b nm，成为其最大产能制程。自 2026 年第一季度至 2027 年第一季度，1c nm 产能占比由 10% 升至 35%，同期 1b nm 降至 33%，实现交叉。该工艺将用于新一代 HBM4E 内存，以支撑 HBM 技术迭代，旨在保障 HBM4 向 HBM4E 升级的产能平滑过渡。三星与美光同期 10nm 级产能占比分别为 16% 和 19%。

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I IT之家 zh 2026-09-07 10:56

备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺

SK 海力士第 6 代 10nm 级 DRAM 工艺 1c nm 有望于 2027 年初超越 1b nm 成为该企业第一大内存制程。从 2026Q1 到 2027Q1，1c nm 在其总 DRAM 产能中的占比逐季度分别为 10%、13%、24%、34%、35%，而 2027 年初 1b nm 产能占比将来到 33%，形成交叉。业内预计三星电子与美光的第 6 代 10nm 级 DRAM 产能占比在 2026Q2 末分别为 16% 和 19%。SK 海力士在 HBM4 内存中仍使用 1b nm DRAM Die，其 HBM4E 将升级到 1c nm DRAM Die。提前建立充足的 1c nm 产能有助于 HBM 市场从 HBM4 升级至 HBM4E 时的平滑过渡。

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