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长鑫科技宣布年底推4F²架构DDR5

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发生了什么

据科创板日报,长鑫科技相关负责人10月10日宣布预计今年年底推出融合4F²架构及混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品,这是存储产业首次从6F²到4F²的技术跨越并确定量产时间。同时,长鑫科技9月20日宣布第五代工艺技术平台正式实现量产,通过四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米。此外,长鑫科技2026年上半年实现营业收入1503.1亿元,同比增长873.64%;净利润776.05亿元,同比扭亏为盈。根据Omdia数据,长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商,全球市场份额从近乎为零攀升至2025年第四季度的7.67%。

2026年上半年营收
1503.1亿元
2026年上半年净利润
776.05亿元
2025年Q4全球市场份额
7.67%
G5平台有源区半间距
11.95纳米

进展与证据

只展示有原文依据的进展;报道时间与事件发生时间分别保留。

  1. 第五代工艺技术平台正式实现量产

    同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品

  2. 宣布预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品

    融合4F²架构及混合键合等先进技术

报道与来源

1 篇

发布方数量不等于独立核验数量。同稿的多个入口保留在对应报道中。

  1. 科创板日报来源报道

    ①登陆科创板两个多月,国产DRAM龙头长鑫科技一方面实现新技术成果突破,一方面又经历资本市场剧烈震荡; ②市场观点认为,DRAM行业整体处于景气周期的预期不变,但亦值得关注供需矛盾放缓迹象。

来源关系与证据边界

按已记录的来源角色展示;连线仅表示原生身份流程确认的同稿入口,不表示独立佐证或跨报道引用。

  1. 来源报道1 个发布入口