美光计划2027年下半年量产400层3D NAND

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据TechPowerUp报道，美光宣布正研发下一代G11 NAND闪存技术，计划通过晶圆级键合（wafer-to-wafer bonding）技术实现400层3D NAND的量产。该技术将存储单元晶圆与外围逻辑电路晶圆通过混合键合方式堆叠，旨在将NAND模块容量翻倍。美光预计于2027年下半年出货该产品，此举标志着其在3D堆叠技术上采取了与长江存储Xtacking技术类似的路径。