UC Berkeley等发布纳米机电门控eDRAM研究

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据Semiconductor Engineering报道，加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔研究人员联合发布了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究。该研究旨在解决SRAM缩放瓶颈，通过引入纳米机电门控增益单元提升嵌入式DRAM的能效与密度。相关论文发表于2026年10月的IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits期刊。