NIST等发布先进封装固化模型

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，NIST、UCSD等研究人员发布了题为“预测高填充环氧底部填充料在先进封装中的固化演变和热耐久性”的技术论文。研究通过DSC、TGA和扩散动力学建模分析了固化动力学和热降解行为，提出两步修正Kamal-Sourour模型以预测玻璃化转变后的固化演变。结果显示，低温粉碎提高了TGA重现性，基于5%失重标准的热耐久性评估具有强温度依赖性，为预测实际热_schedule下的固化演变提供了定量框架。