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韩国证券企业 KB Securities 分析指出，受全球超大规模数据中心 AI 基础设施投资加速扩张影响，三星电子与 SK 海力士的内存库存已降至不足 10 天供应量。随着 HBM4 技术放量，其晶圆投片消耗显著高于传统 DRAM，叠加明年人工智能投资预期上调至 1.3 万亿美元（存储半导体占比或升至 57%），导致存储芯片市场面临严重供应短缺。机构预计，DRAM 与 NAND 市场的供应缺口在 2027 年将超过一成以上。尽管三星电子股价下跌近 28%、SK 海力士下跌近 40%，但分析师认为两家企业基本面被低估，盈利预计连续三年创历史新高。
韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士内存库存已降至不足 10 天供应量。该机构周一报告指出，随着人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。加剧因素包括向 HBM4 过渡，其所需…
2 条报道韩国券商 KB Securities 警告，三星电子和 SK 海力士内存库存已降至不足 10 天供应量。该机构周一报告指出，随着人工智能基础设施投资以前所未有的速度扩张，存储芯片市场面临严重供应短缺。加剧因素包括向 HBM4 过渡，其所需晶圆约为传统 DRAM 三倍，导致明年可用产能减少。预计明年 DRAM 和 NAND 需求将超过供应 10 个百分点以上。全球超大规模数据中心运营商已将明年人工智能基础设施投资预期上调至 1.3 万亿美元，存储半导体占比或达 57%。尽管股价因市场担忧大幅回调，三星电子跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%，但分析师认为其基本面被低估，盈利预计连续三年创历史新高。
韩国证券企业 KB Securities 分析指出，三星电子、SK 海力士的内存库存已不足 10 天，难以应对突发性需求。机构预计，全球超大规模数据中心企业在 2027 年的 AI 基础设施投资规模将达 1.3 万亿美元，同比增长 60%；其中存储半导体占比将从 2025 年的 14% 上升至 2027 年的 57%，两年翻四倍。随着 HBM4 放量，其晶圆投片消耗显著高于通用 DRAM 及 HBM3E，将导致内存市场按容量计的整体供给承压。该机构认为，DRAM 与 NAND 市场的供应缺口在 2027 年将达到一成以上，存储半导体短缺将进一步加剧。