三星将用台积电3nm代工英伟达HBM基底裸片

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据IT之家10月18日报道，三星电子决定采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代NVHBM的基底裸片。此举旨在统一设计以实现稳定性能并减轻验证工作量。此前三星供应的所有HBM产品中，核心裸片与基底裸片均由其自主生产。目前三星仍保留在自家晶圆厂研发生产NVHBM的可能性作为预案。