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长鑫推出4F²DRAM,美光不跟

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发生了什么

长鑫存储推出4F²DRAM架构,称可比主流6F²架构单位面积晶体管数量更多。美光则明确沿6F²路径并开发3D DRAM,不做4F²,理由是复杂度与成本上升且无可行微缩路径。受此消息及黄仁勋称合作持开放态度影响,长鑫科技10月23日涨超7%。

报道与来源

1 篇

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  1. 钛媒体来源报道

    长鑫4F²DRAM架构引发技术路线分歧,美光明确不跟

来源关系与证据边界

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  1. 来源报道1 个发布入口