UIUC等机构研究：碳点界面实现二维半导体超薄高k介电层集成

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校、国家能源技术实验室、阿贡国家实验室和蒙纳士大学的研究人员发表技术论文，提出使用碳点单层组装作为范德华界面层，实现在二维半导体上沉积超薄高k氧化物。该原子级薄层的组装 enables 了高k氧化物的集成。