三星将首次与台积电合作生产HBM

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据财联社报道，三星电子将采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基础芯片，核心芯片采用第六代DRAM技术。这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段合作，消息人士称英伟达已要求三星、SK海力士和美光采用台积电工艺制造NVHBM基础芯片。