ASML公布Hyper NA EUV光刻机蓝图

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ASML与蔡司在《微纳米图案化、材料与计量期刊》发表论文，公布Hyper NA EUV光刻机蓝图。该设备数值孔径提升至0.75，预计10年后准备就绪，可实现5nm单次曝光。Hyper NA可最大化沿用现有基础设施，但ASML尚未承诺投入生产。英特尔、三星、SK海力士和台积电计划分阶段采用High NA，Hyper NA瞄准2035年后的产业需求。