三星开发zNAND-T与zNAND-I闪存
发生了什么
据凤凰网·科技10月12日报道，三星电子正在开发zNAND-T与zNAND-I两款NAND闪存产品，分别优化吞吐量与随机性能。zNAND-T针对数据中心AI半导体需求优化读写带宽，采用TSV堆叠NAND Die；zNAND-I强调少量数据频繁读写操作中的表现，如KV Cache卸载场景。
- 产品
- zNAND-T与zNAND-I
- 功能
- 吞吐量与随机性能优化
进展与证据
只展示有原文依据的进展；报道时间与事件发生时间分别保留。
开发zNAND-T与zNAND-I
分别优化吞吐量与随机性能
报道与来源
1 篇发布方数量不等于独立核验数量。同稿的多个入口保留在对应报道中。