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长鑫科技4F² DRAM架构进展及年底新品

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发生了什么

据《科创板日报》报道,长鑫科技总裁曹堪宇宣布,4F² DRAM架构研发近期取得关键进展,并预计年底推出融合该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。长鑫自成立启动4F²研究和专利布局,公开专利族超300件,数量领先海内外厂商。其4F²核心为自研VSG晶体管,从6F²向4F²需整合新工艺流程。演讲未提及新品具体规格与发布时间。

报道与来源

1 篇

发布方数量不等于独立核验数量。同稿的多个入口保留在对应报道中。

  1. 科创板日报来源报道

    长鑫科技官宣!4F² DRAM架构取得进展 专利数量超过海外厂商 年底将推出相关技术产品

    同稿入口:科创板日报 财联社

来源关系与证据边界

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  1. 来源报道