ASML蔡司：Hyper NA EUV挑战在景深

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据IT之家报道，ASML与蔡司10月1日文章指出，数值孔径≥0.75的Hyper NA EUV光刻机有望支持5nm半间距分辨率，约10年面世。技术挑战集中于更低可用景深，需改进聚焦控制、晶圆平整及工艺控制。0.75NA系统体积略大于现有High NA设备，兼容性良好；扩展至0.85NA将降低吸引力。配套掩膜和光源预计可复用。