KA等团队实现二维半导体成核突破

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，KAIST、TDS Innovation、汉阳大学等研究团队在《Nature》发表题为“Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux”的技术论文。该研究通过蚀刻通量介导的单中心成核，实现了二维半导体的空间确定性成核，解决了传统策略中单个晶核形成位置随机的问题，为晶体材料的确定性构建提供了新方法。