英特尔高管称High NA EUV适配14A

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据快科技报道，英特尔制造开发与客户互动副总裁克里斯·奥思表示，英特尔采用High NA EUV光刻机是正确选择，该技术将用于Intel 14A工艺。奥思指出，英特尔的背面供电技术减轻了正面间距要求，使其能直接使用High NA光刻，而台积电因缺乏背面供电需采用EUV双重曝光。此外，英特尔CTO普什卡尔·拉纳德认为，英特尔追赶台积电主要面临规模而非技术挑战。