美光称4F² DRAM无扩展路径

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美光在2026年度技术网络研讨会上表示，4F² DRAM内存由于复杂度和成本问题没有可行的规模化路径，选择3D DRAM作为未来发展方向。美光的第7代10nm级DRAM节点1δ已进入良率爬坡阶段，第8代10nm级节点1ε引入晶圆键合技术，第1代亚10nm级节点ζÅ导入High NA EUV光刻技术。美光称1δ工艺可提升约25%的存储密度并优化成本，该技术将用于HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR等产品，同时DRAM CMOS逻辑电路也将实现3D化。