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Silvaco发布p-GaN HEMT预测性TCAD建模工作流

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发生了什么

据Semiconductor Engineering报道,Silvaco于2026年9月17日发布了一种针对常关型p-GaN HEMT的预测性TCAD模拟工作流。该工作流基于100V参考结构,结合工艺知情设备定义、网格划分、Victory Device物理模型校准、混合模式开关仿真、实验设计(DOE)及Victory Analytics代理建模,旨在帮助工程师理解陷阱、极化等因素对GaN功率器件性能的影响。

报道与来源

1 篇

发布方数量不等于独立核验数量。同稿的多个入口保留在对应报道中。

  1. Semiconductor Engineering来源报道

    Predictive TCAD Modeling of Normally-Off p-GaN HEMTs for Dynamic RDS(on), Leakage, Breakdown, and ML-Based Design Exploration

来源关系与证据边界

按已记录的来源角色展示;连线仅表示原生身份流程确认的同稿入口,不表示独立佐证或跨报道引用。

  1. 来源报道1 个发布入口