PVTW硅片表征方法提出

发生了什么

Semiconductor Engineering提出PVTW硅片表征方法，结合ATE与SLT实现工作负载下芯片电气裕度测试。该方法在传统PVT基础上增加工作负载维度，通过混合表征架构整合ATE资源与SLT能力，提供ATE模式、SLT模式及组合模式三种工作方式，以分析芯片在实际工作环境下的电气特性。