首尔国立大学发布单片三维集成忆阻器研究
发生了什么
据Semiconductor Engineering报道，首尔国立大学和延世大学研究人员发表技术论文，提出一种用于可编程神经形态计算的单片三维集成忆阻器-TFT堆栈。该研究通过将Ru/HfO2/TiN忆阻器与In2O3沟道薄膜晶体管（TFT）垂直单片集成，实现了电可编程的时间动态特性。这种架构克服了传统硬件 reservoir computing 动力学固定或可调范围窄的问题，支持宽时间尺度上的可编程性，适用于高效处理时序信息。
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- Semiconductor Engineering来源报道
Monolithic 3D Memristor-TFT Stack For Programmable Neuromorphic Computing (SNU, Yonsei)
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