美光预告G11 NAND超400层堆叠

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据IT之家报道，美光在2026年度技术网络研讨会上预告了其G11 NAND闪存，预计2027H2产能爬坡。G11 NAND采用超过400层堆叠，存储密度是现有276层G9 NAND的2倍，I/O速率最高提升1.5倍，数据传输能耗减少25%以上。美光计划在G11后导入高迁移率材料，实现超密集单元架构。此外，美光介绍了2种AI-class数据中心级NAND设计，并展示了AI优化存储解决方案。