三星与台积电将部署ASML高数值孔径EUV设备

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据ASML公告，三星与台积电已承诺采用其高数值孔径（High NA）EUV光刻机。三星计划于2028年将其用于DRAM内存生产，台积电则计划于2030年将其应用于先进节点。此外，三方共同发起了一项过渡至12英寸光掩模的计划，旨在提升制造良率并降低成本，预计该技术将于2033年进入先进节点生产。