三星展示400层以上V-NAND

发生了什么

三星在第五届GMIF创新峰会上展示了业界首个400层以上V-NAND产品V10 BV-NAND，其位密度比V9提升58%，I/O速度提升33%，功耗降低25%，关键在于先进键合技术实现高密度堆叠。三星还介绍了新一代NAND架构zNAND-O，适用于端侧AI，分为4层和8层版本，位密度达DRAM的10倍，读取带宽与能效是NAND闪存的7倍，能降低内存成本。三星凭借zNAND-O等技术在GMIF2026上获得AI内存与存储产业卓越领导力奖。