余承东称国内正研发EUV光刻机

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据凤凰网科技报道，华为常务董事余承东表示，中国目前正在研发极紫外光刻（EUV）设备，现阶段仍依靠深紫外光刻（DUV）。华为采用逻辑折叠技术提升芯片性能，通过压缩信号传播时延提升晶体管密度。预计2031年，基于韬定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程同等水平。