Synopsys工具预测高NA EUV光刻行为
发生了什么
据 Semiconductor Engineering 报道，Synopsys S-Litho 工具成功预测了高 NA EUV 光刻硅片行为。2021年的模拟预测水平线与垂直线边缘粗糙度（LER）差异约为 0.3 nm，该预测在四年后的 IBM 实际硅片结果中得到证实，垂直线 LER 为 1.6 nm，水平线 LER 为 1.3 nm。
- LER预测差异
- 0.3 nm
- 实际水平线LER
- 1.3 nm
- 实际垂直线LER
- 1.6 nm
报道与来源
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- Semiconductor Engineering来源报道
Predicting Silicon Behavior Years Before Test Wafers
来源关系与证据边界
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