首尔大学研发低电压HZO铁电电容器

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，首尔大学研究团队开发出用于DRAM类存储器的低电压铁电Hf0.5Zr0.5O2（HZO）电容器。该研究通过TiN电极与界面工程，在0.6V电压下实现42.1ns极化切换，在1.0V下实现8.1ns切换，并达到10^12次双极循环。研究团队据此提出一种单晶体管单电容器（1T1C）的通用板铁电RAM（CP-FeRAM）架构，旨在通过极化传感减少DRAM类存储器的刷新需求。