三星SK海力士升级中国工厂生产更先进闪存芯片

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据凤凰网科技10月21日报道，三星电子和SK海力士正升级其中国工厂以生产更先进的闪存芯片，以应对中国对手的竞争并满足AI需求。自2022年美国对芯片制造设备实施出口管制以来，两家公司改造工厂的能力受限，市场份额被长江存储蚕食。长江存储第二季度在中国NAND市场占据38.5%的份额，超过三星。三星和SK海力士证实升级工作正在进行，并与华盛顿密切协商，但未披露生产计划细节。三星西安工厂正推进“Monami”项目，计划于2027年12月将月产量提高至4万片晶圆。SK海力士大连工厂计划转向生产240层以上NAND闪存产品，并可能寻求华盛顿批准研发300层以上芯片。