长鑫存储发布4F²架构DRAM技术

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据第一财经·新闻，长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍名为4F²的DRAM架构，预计年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构采用VSG晶体管实现面积微缩，提升存储密度，并通过晶圆级混合键合技术实现DRAM与CMOS制造工艺解耦。长鑫4F²架构相关公开专利族超300件。此举旨在拓展服务器内存市场，应对技术与工程壁垒。