ASML/TSMC推进12英寸EUV光罩

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，ASML与TSMC启动行业倡议，计划将高数值孔径（High-NA）EUV光刻从6英寸光罩过渡到12英寸光罩。目标在2031年建成12英寸光罩试点线，2033年实现生产就绪系统。TSMC计划于2030年开始在高产量制造中使用High-NA EUV。三星也正式加入该倡议，并计划于2028年将High-NA EUV引入DRAM量产。此外，Intel Foundry与ASML宣布High-NA EUV已处理超百万片晶圆。