研究揭示GAA晶体管应力非均匀性改善方案

发生了什么

据Semiconductor Engineering9月17日报道，Lam Semiverse Solutions工程师利用SEMulator3D模拟发现，GAA纳米片晶体管中顶层通道厚度对应力均匀性影响最大。将最顶层通道（Channel 3）厚度从4nm增加至7nm，可显著降低应力差异，从而改善器件行为。