CMU等实现亚5nm MoS2晶体管晶圆集成

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，卡内基梅隆大学、佛罗里达大学、MIT及德州农工大学等机构研究人员发表论文，报告了物理沟道长度低于5nm的单层MoS2晶体管。该器件亚阈值摆幅为88 mV/dec，开关比高于106，结果超越了硅的理论亚阈值极限和同等尺寸下最先进的新兴半导体晶体管。研究开发了基于光刻的、与CMOS兼容的工艺，并展示了4英寸晶圆级集成。