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长江存储计划建设第四座NAND工厂

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据路透社消息,长江存储计划在武汉建设第四座NAND工厂,旨在生产堆叠层数超过300层的先进芯片。该工厂计划将国产设备采购比例设定为至少60%,并力争达到70%。目前长江存储正与供应商进行初步讨论,尚未正式下达订单,预计工厂将于明年动工。

报道与来源

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  1. IT之家来源报道

    消息称长江存储计划建设第四座 NAND 工厂,国产设备占比力争达到 70%

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