康奈尔团队制出掺硅氧化铝镓器件

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据科技日报，康奈尔大学领导的研究团队证明，在氧化铝镓薄膜中掺入硅，可在比以往任何半导体带隙都宽的情况下保持稳定导电调控能力。掺硅薄膜在带隙超过7电子伏时仍能导电，打破此前由立方氮化硼保持的纪录；在6电子伏以上的“巨大带隙”区间，其室温导电性比以往报道高出1亿倍以上，并成功用于二极管和晶体管。相关论文发表于《自然》杂志。