三星SK海力士升级中国工厂产200层以上闪存芯片

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据IT之家报道，三星电子和SK海力士正升级中国工厂以生产更先进的闪存芯片。三星计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标2027年月产4万片晶圆。SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品。两家公司正努力在中国工厂生产200层以上的NAND闪存芯片，但面临美国对设备出口的限制。