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中国团队提升存储器耐久性百倍

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发生了什么

据SCMP Tech报道,西安电子科技大学等中国科研团队在半导体领域取得突破,将未来存储器耐久性提升百倍。团队在纤锌矿铁电体中演示了超过100亿次写入循环,结果是此前同材料耐久度的约100倍。该成果发表在《Science》期刊,有助于推动铁电存储器在高性能计算和AI系统中的实际应用。

耐久性提升倍数
100倍
写入循环次数
100亿次

报道与来源

1 篇

发布方数量不等于独立核验数量。同稿的多个入口保留在对应报道中。

  1. SCMP Tech来源报道

    Chinese researchers extend future memory endurance 100-fold in semiconductor advance

来源关系与证据边界

按已记录的来源角色展示;连线仅表示原生身份流程确认的同稿入口,不表示独立佐证或跨报道引用。

  1. 来源报道1 个发布入口