中国团队提升存储器耐久性百倍
发生了什么
据SCMP Tech报道,西安电子科技大学等中国科研团队在半导体领域取得突破,将未来存储器耐久性提升百倍。团队在纤锌矿铁电体中演示了超过100亿次写入循环,结果是此前同材料耐久度的约100倍。该成果发表在《Science》期刊,有助于推动铁电存储器在高性能计算和AI系统中的实际应用。
- 耐久性提升倍数
- 100倍
- 写入循环次数
- 100亿次
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