SK海力士推出3D FeNAND技术

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据IT之家10月15日报道，SK海力士公布了3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于IEEE论文。A-CiM可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算，减少数据搬运、提升处理速度和能效。SK海力士表示，FeNAND利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合AI计算所需的权重数据。