美光发布G11 NAND闪存

事件日期待核1 篇报道1 个发布方

发生了什么

据DoNews·快讯，美光发布G11 NAND闪存，堆叠层数超400层。报道援引美光技术网络研讨会称，G11跳过G10世代，采用晶圆对晶圆键合技术，存储密度为现有276层G9的约2倍，并计划于2027年下半年量产。

1 篇

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来源关系与证据边界

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