长鑫G6内存单元面积缩30%

发生了什么

据凤凰网·科技报道，国产DRAM厂商长鑫科技下一代技术平台G6指标流出。预计最快2028年推出，将继续采用DUV光刻工艺，芯片单元面积从G5代的0.00128205平方微米缩减至0.000896平方微米，降幅达30%。关键创新在于首次引入晶圆级混合键合工艺，将DRAM存储阵列与外围逻辑电路解耦制造后堆叠互联。WL间距收紧至28纳米，BL间距降至32纳米。