Imec推进CFET设备路线图至A3节点

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据Semiconductor Engineering报道，Imec及其工业合作伙伴正致力于使基于互补场效应晶体管（CFET）的设备实现可制造性。通过垂直堆叠p型和n型MOS晶体管，标准单元可进一步缩小至3T，将经典CMOS逻辑路线图延伸至至少A3技术节点。目前 groundwork 已奠定，分为单片CFET（mCFET）和顺序CFET（sCFET）两种集成方法。