Groq计划用3D堆叠DRAM封装技术提升下一代芯片容量

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据钛媒体10月21日报道，Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片，以替代现有的SRAM设计，从而大幅提升芯片容量。业内人士解读称，此举旨在通过3D封装技术垂直堆叠多个芯片，减小表面积并提高能效，实现大容量芯片。