ETH Zurich与NYU揭示HBM2功耗特性

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，苏黎世联邦理工学院（ETH Zürich）和纽约大学（NYU）研究人员发表技术论文，对真实HBM2 DRAM芯片进行了首次全面的功耗实验表征。研究发现读取操作消耗的电流显著高于其他操作，且数据传输突发期间的翻转数据总线信号显著影响电流消耗，翻转所有内部银行组总线信号比保持恒定导致高29.4%的功耗。研究还设计了一种访问模式，在36款测试芯片上平均产生比JEDEC规范最高功耗测量循环高23.6%的功耗。该研究为开发新的准确HBM功耗模型提供了实证基础。