多机构发表WSe2单分子层晶体管研究

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，华中科技大学、香港理工大学、加州大学圣塔芭芭拉分校和新加坡国立大学联合发表论文，展示基于氧掺杂WSe2单分子层的弹道p型晶体管。研究通过氧p掺杂解决金属沉积导致的接触电阻高问题，实现高性能p型单分子层晶体管，旨在推动二维半导体在亚1纳米节点CMOS电路中的应用。