慕尼黑工大与印度理工研究CFET挑战

发生了什么

慕尼黑工业大学与印度理工学院坎普尔分校的研究人员发表论文，探讨了多层互补场效应晶体管（CFET）设计中的自热效应及寄生效应挑战。研究通过校准实验测量的TCAD模型，对比分析了四层与传统两层CFET设计，并利用3D模型提取了包含中段（MOL）与后段（BEOL）互连的寄生RC网络，以分析热分布与温度分布。该成果于2026年6月发表在《IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits》上。