Sandia发表GAAFET新型漏电路径仿真研究

发生了什么

据Semiconductor Engineering报道，桑迪亚国家实验室与卢森堡科学与技术研究所研究人员在arXiv发表论文，揭示GAAFET中的新型漏电路径。研究指出GAAFET在负栅压下漏电流偏离热离子行为，归因于通过高k介电质的直接栅-漏隧穿。团队使用非平衡格林函数（NEGF）模拟空间解析了这一漏电路径，为先进半导体节点缩放提供理论支持。