长鑫科技突破4F²架构，预计年底推DDR5

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据虎嗅报道，长鑫科技宣布在DRAM 4F²架构与垂直环绕栅极晶体管（VSG）上取得突破。该技术在不依赖EUV光刻的情况下，使存储密度提升30%-50%，设计规则放宽约30%。长鑫预计年底推出首代4F² DDR5 RDIMM产品，时间早于三星、海力士和美光的量产计划。不过目前仅披露“推出”而非“量产”，良率及规模待验证。该架构通过垂直叠放电容、位线和字线缩小单元面积，旨在绕开出口管制限制。